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JANS2N4261UB

JANS2N4261UB

数据手册.pdf
Microsemi 美高森美 分立器件

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A IC, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-4

This 2N4261UB small signal transistor features ceramic bodied construction with a metal lid for military grade products per MIL-PRF-19500/511. It is also available with a ceramic lid in the UBC package or in a hermetically sealed metal TO-72 package.


艾睿:
Trans GP BJT PNP 15V 0.03A 200mW 3-Pin UB Waffle


Verical:
Trans GP BJT PNP 15V 0.03A 200mW 3-Pin UB Waffle


JANS2N4261UB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.2 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SMD

外形尺寸

封装 SMD

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

JANS2N4261UB引脚图与封装图
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JANS2N4261UB Microsemi 美高森美 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A IC, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-4 搜索库存