JANS2N4261UB
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
耗散功率 0.2 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SMD
封装 SMD
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANS2N4261UB | Microsemi 美高森美 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A IC, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-4 | 搜索库存 |