JANS2N3439
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANS2N3439中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANS2N3439引脚图与封装图
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在线购买JANS2N3439
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANS2N3439 | Microsemi 美高森美 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANS2N3439
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANS2N3439 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 NPN | 当前型号 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JAN2N3439 品牌： 美高森美 封装： TO-39-3 800mW | 完全替代 | 此系列高频，外延平面型晶体管具有低饱和电压。 This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage. | JANS2N3439和JAN2N3439的区别 |
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| 型号： JANTX2N3439 品牌： 美高森美 封装： TO-39-3 800mW | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-39 | JANS2N3439和JANTX2N3439的区别 |
