极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 90 V
集电极最大允许电流 30A
安装方式 Through Hole
封装 TO-3
封装 TO-3
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTX2N5671 | Microsemi 美高森美 | NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANTX2N5671 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-3 NPN | 当前型号 | NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: JANTX2N6675 品牌: 美高森美 封装: TO-3 | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 400V 15A 3Pin2+Tab TO-3 | JANTX2N5671和JANTX2N6675的区别 | |
型号: BD437TG 品牌: 安森美 封装: TO-225-3 NPN 45V 4A 36000mW | 功能相似 | 塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor | JANTX2N5671和BD437TG的区别 | |
型号: BD437S 品牌: 安森美 封装: TO-225AA 36000mW | 功能相似 | 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 30 hFE | JANTX2N5671和BD437S的区别 |