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JANTX2N5671

数据手册.pdf
Microsemi 美高森美 分立器件
JANTX2N5671中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 90 V

集电极最大允许电流 30A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

JANTX2N5671引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N5671
型号 制造商 描述 购买
JANTX2N5671 Microsemi 美高森美 NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANTX2N5671
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTX2N5671

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-3 NPN

当前型号

NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号: JANTX2N6675

品牌: 美高森美

封装: TO-3

完全替代

Trans GP BJT NPN 400V 15A 3Pin2+Tab TO-3

JANTX2N5671和JANTX2N6675的区别

型号: BD437TG

品牌: 安森美

封装: TO-225-3 NPN 45V 4A 36000mW

功能相似

塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

JANTX2N5671和BD437TG的区别

型号: BD437S

品牌: 安森美

封装: TO-225AA 36000mW

功能相似

单晶体管 双极, NPN, 45 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 30 hFE

JANTX2N5671和BD437S的区别