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JANTX2N6274

JANTX2N6274

数据手册.pdf

PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 250000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C.

JANTX2N6274中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 250 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 50A

最小电流放大倍数hFE 30 @20A, 4V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTX2N6274引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTX2N6274 Microsemi 美高森美 PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANTX2N6274
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTX2N6274

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-3 NPN 250000mW

当前型号

PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号： JANTX2N6284

品牌： 美高森美

封装： TO-3 NPN 175000mW

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