极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 50A
最小电流放大倍数hFE 30 @5A, 2V
额定功率Max 300 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-204
封装 TO-204
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JAN2N5684 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-3 NPN | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: JANTXV2N5684 品牌: 美高森美 封装: TO-3 NPN | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5684和JANTXV2N5684的区别 | |
型号: JANTX2N5684 品牌: 美高森美 封装: TO-3 NPN | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5684和JANTX2N5684的区别 | |
型号: 2N5684 品牌: 美高森美 封装: TO-3 300000mW | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5684和2N5684的区别 |