JANS2N5665
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANS2N5665中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 2.5 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 5V
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-66
外形尺寸
封装 TO-66
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANS2N5665引脚图与封装图
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在线购买JANS2N5665
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANS2N5665 | Microsemi 美高森美 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANS2N5665
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANS2N5665 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-66 NPN 2500mW | 当前型号 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N5665 品牌： 美高森美 封装： TO-66 2500mW | 完全替代 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JANS2N5665和JANTXV2N5665的区别 |
| 型号： 2N5665 品牌： 美高森美 封装： TO-66 | 完全替代 | 每NPN功率硅开关晶体管合格MIL -PRF- 455分之19500 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/455 | JANS2N5665和2N5665的区别 |
| 型号： JANTX2N6274 品牌： 美高森美 封装： TO-3 NPN 250000mW | 功能相似 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | JANS2N5665和JANTX2N6274的区别 |