极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 40 @500mA, 1V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
封装 TO-39
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTXV2N3467 | Microsemi 美高森美 | PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANTXV2N3467 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-39 PNP | 当前型号 | PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: 2N3467 品牌: 美高森美 封装: TO-39-3 | 完全替代 | PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JANTXV2N3467和2N3467的区别 | |
型号: JANTX2N3467L 品牌: 美高森美 封装: TO-5 PNP | 类似代替 | PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JANTXV2N3467和JANTX2N3467L的区别 | |
型号: 2N4029 品牌: 美高森美 封装: TO-18-3 500mW | 功能相似 | PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JANTXV2N3467和2N4029的区别 |