JANTXV2N3764
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N3764中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 30 @1A, 1.5V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-46
外形尺寸
封装 TO-46
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTXV2N3764引脚图与封装图
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