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JANTXV2N5794U

JANTXV2N5794U

数据手册.pdf
Microsemi 美高森美 分立器件

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 6Pin Case U

FEATURES: ? NPN SILICON DUAL TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/495


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 600mW 6-Pin Case U Bag


Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 600mW 6-Pin Case U Bag


JANTXV2N5794U中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.6 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 U

外形尺寸

封装 U

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

JANTXV2N5794U引脚图与封装图
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTXV2N5794U

品牌: Microsemi 美高森美

封装: U

当前型号

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 6Pin Case U

当前型号

型号: JANTX2N5794U

品牌: 美高森美

封装: 6-SMD 600mW

完全替代

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 6Pin CSMD

JANTXV2N5794U和JANTX2N5794U的区别

型号: 2N5794U

品牌: 美高森美

封装: U

完全替代

NPN硅晶体管双 NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

JANTXV2N5794U和2N5794U的区别

型号: JAN2N5794U

品牌: 美高森美

封装: U NPN

完全替代

NPN 40V 0.6A

JANTXV2N5794U和JAN2N5794U的区别