JANTXV2N5686

Microsemi(美高森美) 分立器件

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 50A 300W Through Hole TO-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 50A 300000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray

Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 50A 300000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray

JANTXV2N5686中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 300 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 50A

最小电流放大倍数hFE 15 @25A, 2V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

JANTXV2N5686引脚图与封装图

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