JANTX2N5794U
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N5794U中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.6 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 600 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SMD-6
外形尺寸
封装 SMD-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTX2N5794U引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N5794U
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N5794U | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 6Pin CSMD | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N5794U
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N5794U 品牌： Microsemi 美高森美 封装： 6-SMD 600mW | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 6Pin CSMD | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N5794U 品牌： 美高森美 封装： U | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 6Pin Case U | JANTX2N5794U和JANTXV2N5794U的区别 |
| 型号： 2N5794U 品牌： 美高森美 封装： U | 完全替代 | NPN硅晶体管双 NPN SILICON DUAL TRANSISTOR | JANTX2N5794U和2N5794U的区别 |