JAN2N6212
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JAN2N6212中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 2A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-66
外形尺寸
封装 TO-66
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
JAN2N6212引脚图与封装图
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在线购买JAN2N6212
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N6212 | Microsemi 美高森美 | PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JAN2N6212
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6212 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-66 PNP | 当前型号 | PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
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