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JANTX2N6213

JANTX2N6213

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PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Look no further than "s PNP general purpose bipolar junction transistor, which can easily operate in high voltage ranges. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 350 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C.

JANTX2N6213中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 30 @1A, 5V

额定功率Max 3 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANTX2N6213引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTX2N6213 Microsemi 美高森美 PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANTX2N6213
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTX2N6213

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-66 PNP 3000mW

当前型号

PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号： JANTX2N5660

品牌： 美高森美

封装： TO-66 NPN 2000mW

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封装： TO-220-3 NPN 80V 2A 2000mW

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