JAN2N5685
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N5685中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 50A
最小电流放大倍数hFE 15 @25A, 2V
额定功率Max 300 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-204
外形尺寸
封装 TO-204
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N5685引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N5685
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N5685 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-3 NPN | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N5685 品牌： 美高森美 封装： TO-3 NPN | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5685和JANTXV2N5685的区别 |
| 型号： 2N5578 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | Trans Npn To-66 | JAN2N5685和2N5578的区别 |
