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JAN1N1126A

JAN1N1126A

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Microsemi 美高森美 分立器件

广颖电整流器 Silicon Power Rectifier

• Glass Passivated Die

• Low Forward Voltage

• 250 A Surge Rating

• Glass to metal seal construction

• VRRM to 1200V


艾睿:
Rectifier Diode Switching 400V 3.3A 2-Pin DO-4 Tray


Verical:
Rectifier Diode Switching 400V 3.3A 2-Pin DO-4 Tray


JAN1N1126A中文资料参数规格
技术参数

正向电压 2.2 V

正向电流 3300 mA

正向电流Max 3300 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

引脚数 2

封装 DO-4

外形尺寸

封装 DO-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

JAN1N1126A引脚图与封装图
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JAN1N1126A Microsemi 美高森美 广颖电整流器 Silicon Power Rectifier 搜索库存
替代型号JAN1N1126A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JAN1N1126A

品牌: Microsemi 美高森美

封装: DO-4

当前型号

广颖电整流器 Silicon Power Rectifier

当前型号

型号: 1N1585

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封装: DO-4

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