JAN2N3763
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JAN2N3763中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1.5A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
JAN2N3763引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N3763
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3763 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 PNP | 当前型号 | PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N3763 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR | JAN2N3763和2N3763的区别 |
| 型号： JANTX2N3763L 品牌： 美高森美 封装： TO-5 PNP | 类似代替 | PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR | JAN2N3763和JANTX2N3763L的区别 |
| 型号： JANTXV2N3763L 品牌： 美高森美 封装： | 类似代替 | PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR | JAN2N3763和JANTXV2N3763L的区别 |
