极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 50 @30mA, 10V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
封装 TO-39
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
JANTX2N4931 | Microsemi 美高森美 | TO-39 PNP 250V 0.2A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: JANTX2N4931 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-39 PNP 1000mW | 当前型号 | TO-39 PNP 250V 0.2A | 当前型号 | |
型号: JANTXV2N4931 品牌: 美高森美 封装: TO-39 PNP 1000mW | 完全替代 | TO-39 PNP 250V 0.2A | JANTX2N4931和JANTXV2N4931的区别 | |
型号: 2N4931 品牌: 美高森美 封装: | 功能相似 | PNP高压硅晶体管 PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR | JANTX2N4931和2N4931的区别 |