极性 NPN
耗散功率 0.8 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 800 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5
封装 TO-5
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
RoHS标准 Non-Compliant
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JAN2N1711S | Microsemi 美高森美 | TO-5 NPN 30V 0.5A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JAN2N1711S 品牌: Microsemi 美高森美 封装: | 当前型号 | TO-5 NPN 30V 0.5A | 当前型号 | |
型号: JANTX2N1711 品牌: 美高森美 封装: TO-5 NPN 800mW | 完全替代 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N1711S和JANTX2N1711的区别 | |
型号: JANTX2N1711S 品牌: 美高森美 封装: TO-5 NPN 800mW | 完全替代 | TO-5 NPN 30V 0.5A | JAN2N1711S和JANTX2N1711S的区别 | |
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