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JAN2N1711S

JAN2N1711S

数据手册.pdf
Microsemi 美高森美 电子元器件分类
JAN2N1711S中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

JAN2N1711S引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JAN2N1711S Microsemi 美高森美 TO-5 NPN 30V 0.5A 搜索库存
替代型号JAN2N1711S
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JAN2N1711S

品牌: Microsemi 美高森美

封装:

当前型号

TO-5 NPN 30V 0.5A

当前型号

型号: JANTX2N1711

品牌: 美高森美

封装: TO-5 NPN 800mW

完全替代

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

JAN2N1711S和JANTX2N1711的区别

型号: JANTX2N1711S

品牌: 美高森美

封装: TO-5 NPN 800mW

完全替代

TO-5 NPN 30V 0.5A

JAN2N1711S和JANTX2N1711S的区别

型号: 2N1711S

品牌: 美高森美

封装: TO-5 NPN

完全替代

TO-5 NPN 30V 0.5A

JAN2N1711S和2N1711S的区别