![JANTX2N6211](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_186/chanpintu/jantx2n6211-TMtPVdbp-zq7lYMdBo.png)
极性 PNP
耗散功率 3000 mW
击穿电压集电极-发射极 225 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 30 @1A, 5V
额定功率Max 3 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-213
封装 TO-213
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTX2N6211 | Microsemi 美高森美 | PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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