JANTXV2N1613L
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N1613L中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JANTXV2N1613L引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N1613L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N1613L | Microsemi 美高森美 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N1613L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N1613L 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5 NPN | 当前型号 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N1613 品牌： 美高森美 封装： TO-205AD NPN 800mW | 完全替代 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N1613L和JANTX2N1613的区别 |