JANTX2N3743
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N3743中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 50 @30mA, 10V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTX2N3743引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N3743
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N3743 | Microsemi 美高森美 | 每PNP高压硅晶体管合格MIL -PRF- 397分之19500 PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/397 | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N3743
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N3743 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 PNP 1000mW | 当前型号 | 每PNP高压硅晶体管合格MIL -PRF- 397分之19500 PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/397 | 当前型号 |
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