JAN2N5686
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JAN2N5686中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 50A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N5686引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N5686
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N5686 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-3 NPN | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N5686 品牌： 美高森美 封装： TO-3 NPN 300000mW | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5686和JANTX2N5686的区别 |
| 型号： JANTXV2N5686 品牌： 美高森美 封装： TO-3 NPN | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5686和JANTXV2N5686的区别 |
| 型号： 2N5686G 品牌： 安森美 封装： TO-3 NPN 80V 50A 300000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N5686G 双极晶体管 | JAN2N5686和2N5686G的区别 |