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JANTXV2N3250A

数据手册.pdf
Microsemi 美高森美 分立器件
JANTXV2N3250A中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.2A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

JANTXV2N3250A引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N3250A
型号 制造商 描述 购买
JANTXV2N3250A Microsemi 美高森美 TO-39 PNP 60V 0.2A 搜索库存
替代型号JANTXV2N3250A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTXV2N3250A

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-39 PNP

当前型号

TO-39 PNP 60V 0.2A

当前型号

型号: JANTX2N3250A

品牌: 美高森美

封装: TO-39 PNP 360mW

完全替代

TO-39 PNP 60V 0.2A

JANTXV2N3250A和JANTX2N3250A的区别

型号: 2N3250A

品牌: 美高森美

封装: TO-205AD

完全替代

PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

JANTXV2N3250A和2N3250A的区别

型号: JAN2N3250A

品牌: 美高森美

封装: TO-39 PNP

完全替代

TO-39 PNP 60V 0.2A

JANTXV2N3250A和JAN2N3250A的区别