锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

JANTX2N3585

数据手册.pdf

NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 300V 2A 2.5W Through Hole TO-66 TO-213AA


艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 2A 2500mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray


Newark:
# MICROSEMI  JANTX2N3585  TRANSISTOR


JANTX2N3585中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 2500 mW

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 10V

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-213

外形尺寸

封装 TO-213

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTX2N3585引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANTX2N3585
型号 制造商 描述 购买
JANTX2N3585 Microsemi 美高森美 NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANTX2N3585
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTX2N3585

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-66 NPN 2500mW

当前型号

NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号: 2N5038G

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 90V 20A 140000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  2N5038G.  双极晶体管

JANTX2N3585和2N5038G的区别

型号: 2N3771G

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 40V 30A 150000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  2N3771G.  双极晶体管

JANTX2N3585和2N3771G的区别

型号: 2N5302G

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 60V 30A 200000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  2N5302G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 2 hFE

JANTX2N3585和2N5302G的区别