JANTX2N5002
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N5002中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 30 @2.5A, 5V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-59
外形尺寸
封装 TO-59
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JANTX2N5002引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| JANTX2N5002 | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 80V 10A 3Pin TO-59 | 搜索库存 |