JAN1N3003B
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JAN1N3003B中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 10 W
稳压值 82 V
封装参数
封装 DO-4
外形尺寸
封装 DO-4
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
JAN1N3003B引脚图与封装图
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在线购买JAN1N3003B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N3003B | Microsemi 美高森美 | 10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES | 搜索库存 |
替代型号JAN1N3003B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N3003B 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-4 | 当前型号 | 10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： 1N3003BE3 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | DO-4 82V 10W | JAN1N3003B和1N3003BE3的区别 |
| 型号： 1N3003RB 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | Zener Diode, 82V VZ, 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-1 | JAN1N3003B和1N3003RB的区别 |
