JANTXV2N3749

Microsemi(美高森美) 分立器件

PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 5A 2W Stud Mount TO-111

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59

JANTXV2N3749中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 2V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-111-4

外形尺寸

封装 TO-111-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

JANTXV2N3749引脚图与封装图

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