JANTXV2N3997
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N3997中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 80 @1A, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
引脚数 4
封装 TO-111-4
外形尺寸
封装 TO-111-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JANTXV2N3997引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N3997
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N3997 | Microsemi 美高森美 | NPN电源开关硅晶体管 NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N3997
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N3997 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-111 2000mW | 当前型号 | NPN电源开关硅晶体管 NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |