JANS2N3867
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANS2N3867中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 40 @1.5A, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5
外形尺寸
封装 TO-5
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANS2N3867引脚图与封装图
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在线购买JANS2N3867
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANS2N3867 | Microsemi 美高森美 | PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANS2N3867
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANS2N3867 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5 | 当前型号 | PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3867S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 完全替代 | 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors | JANS2N3867和JANTX2N3867S的区别 |
| 型号： JAN2N3867S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 类似代替 | 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors | JANS2N3867和JAN2N3867S的区别 |
| 型号： JANTXV2N3867S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 类似代替 | 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors | JANS2N3867和JANTXV2N3867S的区别 |