JANS2N3868S
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JANS2N3868S中文资料参数规格
技术参数
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
JANS2N3868S引脚图与封装图
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在线购买JANS2N3868S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANS2N3868S | Microsemi 美高森美 | PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANS2N3868S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANS2N3868S 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 | 当前型号 | PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JAN2N3868 品牌： 美高森美 封装： TO-5 1000mW | 完全替代 | 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors | JANS2N3868S和JAN2N3868的区别 |
| 型号： JAN2N3868S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 完全替代 | 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors | JANS2N3868S和JAN2N3868S的区别 |
| 型号： JANTXV2N3868S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 完全替代 | 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors | JANS2N3868S和JANTXV2N3868S的区别 |
