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JANTX2N1711

JANTX2N1711

数据手册.pdf

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Thanks to , your circuit can handle high levels of voltage using the NPN general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 800 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C.

JANTX2N1711中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTX2N1711引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTX2N1711 Microsemi 美高森美 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANTX2N1711
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTX2N1711

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-5 NPN 800mW

当前型号

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号： JANTX2N1711S

品牌： 美高森美

封装： TO-5 NPN 800mW

完全替代

TO-5 NPN 30V 0.5A

JANTX2N1711和JANTX2N1711S的区别

型号： JAN2N1711S

品牌： 美高森美

封装：

完全替代

TO-5 NPN 30V 0.5A

JANTX2N1711和JAN2N1711S的区别

型号： 2N1711

品牌： 意法半导体

封装： TO-39 NPN 75V 500mA

功能相似

外延平面NPN EPITAXIAL PLANAR NPN

JANTX2N1711和2N1711的区别