JAN2N6768T1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N6768T1中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 4W Ta, 150W Tc
漏源极电压Vds 400 V
连续漏极电流Ids 14A
耗散功率Max 4W Ta, 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-254-3
外形尺寸
封装 TO-254-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N6768T1引脚图与封装图
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在线购买JAN2N6768T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N6768T1 | Microsemi 美高森美 | TO-254 N-CH 400V 14A | 搜索库存 |
替代型号JAN2N6768T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6768T1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-254 N-CH 400V 14A | 当前型号 | TO-254 N-CH 400V 14A | 当前型号 |
| 型号： 2N6768T1 品牌： 美高森美 封装： TO-254-3 | 完全替代 | N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET | JAN2N6768T1和2N6768T1的区别 |
