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JANS2N5154L

JANS2N5154L

数据手册.pdf
Microsemi 美高森美 分立器件

Trans GP BJT NPN 80V 2A 3Pin TO-5

FEATURES: ? PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/561


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray


JANS2N5154L中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

JANS2N5154L引脚图与封装图
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在线购买JANS2N5154L
型号 制造商 描述 购买
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替代型号JANS2N5154L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANS2N5154L

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-5

当前型号

Trans GP BJT NPN 80V 2A 3Pin TO-5

当前型号

型号: JANTXV2N3421S

品牌: 美高森美

封装: TO-39 NPN 1000mW

完全替代

TO-39 NPN 80V 3A

JANS2N5154L和JANTXV2N3421S的区别

型号: JANTXV2N5154

品牌: 美高森美

封装: TO-39 1000mW

完全替代

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

JANS2N5154L和JANTXV2N5154的区别