JANS1N4120-1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
容差 ±5 %
正向电压 1.1V @200mA
稳压值 30 V
正向电压Max 1.1V @200mA
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 DO-204AH
长度 5.08 mm
封装 DO-204AH
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准
JANS1N4120-1引脚图
JANS1N4120-1封装图
JANS1N4120-1封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANS1N4120-1 | Microsemi 美高森美 | 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES | 搜索库存 |