JANS1N4118-1
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JANS1N4118-1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.5 W
测试电流 0.25 mA
稳压值 27 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANS1N4118-1引脚图与封装图
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在线购买JANS1N4118-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANS1N4118-1 | Microsemi 美高森美 | 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES | 搜索库存 |
替代型号JANS1N4118-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANS1N4118-1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-35 | 当前型号 | 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： JANTXV1N4118-1 品牌： 美高森美 封装： DO-213AA-2 | 完全替代 | 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES | JANS1N4118-1和JANTXV1N4118-1的区别 |
| 型号： 1N4118 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | JANS1N4118-1和1N4118的区别 |
| 型号： JAN1N4118-1 品牌： 美高森美 封装： DO-35 | 类似代替 | 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES | JANS1N4118-1和JAN1N4118-1的区别 |