JANTXV2N6052
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N6052中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 150 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 12A
最小电流放大倍数hFE 1000 @6A, 3V
额定功率Max 150 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTXV2N6052引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N6052
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N6052 | Microsemi 美高森美 | TO-3 PNP 100V 12A | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N6052
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N6052 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-3 PNP 150000mW | 当前型号 | TO-3 PNP 100V 12A | 当前型号 |
| 型号： 2N6052G 品牌： 安森美 封装： TO-3 PNP -100V -12A 150000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N6052G 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 150 W, -12 A, 100 hFE 新 | JANTXV2N6052和2N6052G的区别 |