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JANS2N3019

JANS2N3019

数据手册.pdf

低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

This 2N3019 NPN leaded silicon transistor device is military qualified for high-reliability applications.   also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Tray


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Tray


JANS2N3019中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANS2N3019引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANS2N3019 Microsemi 美高森美 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANS2N3019
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANS2N3019

品牌: Microsemi 美高森美

封装: ~30deg 800mW

当前型号

低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号: JANTX2N3019

品牌: 美高森美

封装: TO-5-3 0.8W

完全替代

低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

JANS2N3019和JANTX2N3019的区别

型号: JAN2N3019

品牌: 美高森美

封装: ~30deg 800mW

完全替代

低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

JANS2N3019和JAN2N3019的区别

型号: JANTXV2N3019

品牌: 美高森美

封装: TO-39 800mW

完全替代

低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

JANS2N3019和JANTXV2N3019的区别