JANS2N2369A
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JANS2N2369A中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 15 V
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18
外形尺寸
封装 TO-18
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
JANS2N2369A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANS2N2369A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANS2N2369A | Microsemi 美高森美 | TO-18 NPN 15V | 搜索库存 |
替代型号JANS2N2369A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANS2N2369A 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-18 NPN | 当前型号 | TO-18 NPN 15V | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N2369A 品牌： 美高森美 封装： TO-18 360mW | 完全替代 | JANTXV Series 15V 360mW Through Hole NPN Silicon Transistor - TO-206AA TO-18 | JANS2N2369A和JANTXV2N2369A的区别 |
| 型号： JAN2N2369A 品牌： 美高森美 封装： TO-18 360mW | 完全替代 | NPN双极型晶体管 NPN BIPOLAR TRANSISTOR | JANS2N2369A和JAN2N2369A的区别 |
| 型号： 2N2369A 品牌： 美高森美 封装： TO-18 360mW | 完全替代 | NPN双极型晶体管 NPN BIPOLAR TRANSISTOR | JANS2N2369A和2N2369A的区别 |