极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 25 @500mA, 5V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5
封装 TO-5
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JAN2N5663 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-5 NPN | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: NTE2347 品牌: NTE Electronics 封装: TO-39 NPN 80V 5A | 类似代替 | NTE ELECTRONICS NTE2347 双极性晶体管, NPN, 80V, TO-39 | JAN2N5663和NTE2347的区别 | |
型号: 2SD1898T100R 品牌: 罗姆半导体 封装: MPT3 NPN 80V 1A 2W | 功能相似 | NPN 功率晶体管,ROHM### 双极晶体管,ROHM | JAN2N5663和2SD1898T100R的区别 | |
型号: 2SD1664T100R 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-89 NPN 32V 1A 500mW | 功能相似 | 中等功率晶体管( 32V , 1A ) Medium Power Transistor 32V, 1A | JAN2N5663和2SD1664T100R的区别 |