JANTXV2N6051
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N6051中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150000 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @6A, 3V
额定功率Max 150 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTXV2N6051引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N6051 | Microsemi 美高森美 | Trans Darlington PNP 80V 12A 150000mW 3Pin2+Tab TO-3 | 搜索库存 |