JANS2N3019S
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JANS2N3019S中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.8 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
JANS2N3019S引脚图与封装图
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在线购买JANS2N3019S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANS2N3019S | Microsemi 美高森美 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANS2N3019S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANS2N3019S 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~30deg | 当前型号 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N3019S 品牌： 美高森美 封装： ~30deg 800mW | 完全替代 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | JANS2N3019S和JANTXV2N3019S的区别 |
| 型号： JANTX2N3019S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 800mW | 功能相似 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | JANS2N3019S和JANTX2N3019S的区别 |
| 型号： 2N3019S 品牌： 美高森美 封装： ~30deg 800mW | 功能相似 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | JANS2N3019S和2N3019S的区别 |