JANTXV2N6384
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N6384中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 3V
额定功率Max 6 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-204
外形尺寸
封装 TO-204
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JANTXV2N6384引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N6384
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N6384 | Microsemi 美高森美 | Trans Darlington NPN 60V 10A 3Pin2+Tab TO-3 | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N6384
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N6384 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-3 | 当前型号 | Trans Darlington NPN 60V 10A 3Pin2+Tab TO-3 | 当前型号 |
| 型号： JAN2N6384 品牌： 美高森美 封装： TO-3 | 完全替代 | Trans Darlington NPN 60V 10A 3Pin2+Tab TO-3 | JANTXV2N6384和JAN2N6384的区别 |
| 型号： 2N6384 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-3 | 功能相似 | Trans Darlington NPN 60V 10A 3Pin2+Tab TO-3 Sleeve | JANTXV2N6384和2N6384的区别 |
| 型号： TIP122 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | t-Npn Si- Po Darlington | JANTXV2N6384和TIP122的区别 |
