JANTXV2N6547
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N6547中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 175 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
最小电流放大倍数hFE 12 @5A, 2V
额定功率Max 175 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 175000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JANTXV2N6547引脚图与封装图
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