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JANTXV2N6764

JANTXV2N6764

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每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543

This family of 2N6764, 2N6766, 2N6768 and 2N6770 switching transistors are military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications.  These devices are also available in a thru hole TO-254AA leaded package.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

JANTXV2N6764中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 4 W

漏源极电压Vds 100 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4W Ta, 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANTXV2N6764引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTXV2N6764 Microsemi 美高森美 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 搜索库存
替代型号JANTXV2N6764
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTXV2N6764

品牌： Microsemi 美高森美

封装： ~0.83deg

当前型号

每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543

当前型号

型号： IRF150

品牌： IXYS Semiconductor

封装：

功能相似

HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE

JANTXV2N6764和IRF150的区别

型号： 2N6764E3

品牌： 美高森美

封装：

功能相似

N-CH 100V 38A

JANTXV2N6764和2N6764E3的区别

型号： 2N6764

品牌：

封装：

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 38A ID, 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3,

JANTXV2N6764和2N6764的区别