JAN2N6385
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N6385中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 6 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 3V
额定功率Max 6 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 6000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
海关信息
ECCN代码 EAR99
JAN2N6385引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JAN2N6385
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N6385 | Microsemi 美高森美 | Trans Darlington NPN 80V 10A 6000mW 3Pin2+Tab TO-3 | 搜索库存 |
替代型号JAN2N6385
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6385 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-3 6000mW | 当前型号 | Trans Darlington NPN 80V 10A 6000mW 3Pin2+Tab TO-3 | 当前型号 |
| 型号： 2N6385 品牌： NTE Electronics 封装： NPN | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N6385 Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 80V, 150W, 10A, 1000 hFE | JAN2N6385和2N6385的区别 |
| 型号： 2N6231 品牌： 美高森美 封装： TO-3 | 功能相似 | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor | JAN2N6385和2N6231的区别 |
| 型号： 2N6674LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-3 NPN 300V 15A | JAN2N6385和2N6674LEADFREE的区别 |