JAN2N6283
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N6283中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 20A
最小电流放大倍数hFE 1250 @10A, 3V
额定功率Max 175 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN2N6283引脚图与封装图
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在线购买JAN2N6283
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N6283 | Microsemi 美高森美 | NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JAN2N6283
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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