JAN2N6250
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N6250中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 275 V
最小电流放大倍数hFE 8 @10A, 3V
额定功率Max 6 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N6250引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N6250
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6250 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-3 | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N5665 品牌： 美高森美 封装： TO-66 | 类似代替 | 每NPN功率硅开关晶体管合格MIL -PRF- 455分之19500 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/455 | JAN2N6250和2N5665的区别 |
| 型号： 2N6284G 品牌： 安森美 封装： TO-3 NPN 100V 20A 160000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N6284G 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 100 hFE 新 | JAN2N6250和2N6284G的区别 |
| 型号： JANTX2N6277 品牌： 美高森美 封装： TO-3 NPN 250000mW | 功能相似 | PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N6250和JANTX2N6277的区别 |
