JAN2N3055
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3055中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 6 W
击穿电压集电极-发射极 70 V
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V
额定功率Max 6 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 6000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
JAN2N3055引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N3055
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3055 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-3 6W | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N3055G 品牌： 安森美 封装： TO-3 NPN 60V 15A 115000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N3055G 双极晶体管 | JAN2N3055和2N3055G的区别 |
| 型号： 2N3055AG 品牌： 安森美 封装： TO-3 NPN 60V 15A 115000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N3055AG. 双极晶体管 | JAN2N3055和2N3055AG的区别 |
| 型号： 2N3055 品牌： Taitron 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor, | JAN2N3055和2N3055的区别 |