JAN2N3902
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3902中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 5 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
最小电流放大倍数hFE 30 @1A, 5V
额定功率Max 5 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 5000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JAN2N3902引脚图与封装图
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在线购买JAN2N3902
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N3902 | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 400V 3.5A 5000mW 3Pin2+Tab TO-3 | 搜索库存 |
替代型号JAN2N3902
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3902 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-3 5000mW | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 400V 3.5A 5000mW 3Pin2+Tab TO-3 | 当前型号 |
| 型号： 2N6057 品牌： NTE Electronics 封装： NPN | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N6057 晶体管, NPN, 100V, 12A, TO-204AA-2 | JAN2N3902和2N6057的区别 |
| 型号： 2N6059 品牌： NTE Electronics 封装： NPN 150W | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFE | JAN2N3902和2N6059的区别 |
| 型号： BUX48A 品牌： NTE Electronics 封装： NPN 175W | 功能相似 | NTE ELECTRONICS BUX48A Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 500V, 175W, 20A, 10 hFE | JAN2N3902和BUX48A的区别 |