JAN2N4236

Microsemi(美高森美) 分立器件

Trans GP BJT PNP 80V 1A 3Pin TO-39

This family of 2N4234, 2N4235, and 2N4236 silicon transistors are military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications.

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin TO-39

JAN2N4236中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 30 @250mA, 1V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-205

外形尺寸

封装 TO-205

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

JAN2N4236引脚图与封装图

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JAN2N4236	Microsemi 美高森美	Trans GP BJT PNP 80V 1A 3Pin TO-39	搜索库存

替代型号JAN2N4236

图片	型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
	型号： JAN2N4236 品牌： Microsemi 美高森美封装： TO-39	当前型号	Trans GP BJT PNP 80V 1A 3Pin TO-39	当前型号
	型号： 2N4236LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装：	功能相似	TO-39 PNP 80V	JAN2N4236和2N4236LEADFREE的区别

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代替类型

描述

替代型号对比

型号： JAN2N4236

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-39

当前型号

Trans GP BJT PNP 80V 1A 3Pin TO-39

当前型号

型号： 2N4236LEADFREE

品牌： Central Semiconductor

封装：

功能相似

TO-39 PNP 80V